• 제목/요약/키워드: AIN

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다양한 증착변수에 따른 AIN 박막의 물성 및 SAW 소자의 특성 분석 (Effects of Deposition Conditions on Properties of AIN Films and Characteristics of AIN-SAW Devices)

  • 정준필;이명호;이진복;박진석
    • 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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    • v.52 no.8
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    • pp.319-324
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    • 2003
  • AIN thin films are deposited on Si (100) and $SiO_2$/Si substrates by using an RF magnetron sputtering method and by changing the conditions of deposition variables, such as RF power, $N_2$/Ar flow ratio, and substrate temperature ($T_sub$). For all the deposited AIN films, XRD Peak patterns are monitored to examine the effect of deposition condition on the crystal orientation. Highly (002)-oriented AIN films are obtained at following nominal deposition conditions; RF Power : 350W, $N_2$/Ar ratio = 10/20, T$_{sub}$ : $250^{\circ}C$, and working pressure = 5mTorr, respectively. AIN-based SAW devices are fabricated using a lift-off method by varying the thickness of AIN layer. Insertion losses and side-lobe rejection levels of fabricated SAW devices are extracted from their frequency response characteristics, which are also compared in terms of AIN thickness and substrate. Relationships between the film properties of AIN films and the frequency responses of SAW devices are discussed. It is concluded from the experimental results that the (002)-preferred orientation as well as the surface roughness of AIN film may play a crucial role of determining the device performances of AIN-SAW devices.s.

AIN에서 SCF/SDF 인터페이스에 X.500 적용을 위한 AIN SDF Server 설계 (The design of AIN SDF Server about the application of the X.500 for supporting the SCF/SDF in AIN)

  • 박문성;오주병;진병운;김혜규;박성열
    • 한국정보처리학회논문지
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    • v.2 no.5
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    • pp.655-666
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    • 1995
  • 차세대 지능망(AIN : Advanced Intelligent Network)과 X.500 디력토리 서비스 사 이의 관계에서 AIN의 SCF/SDF(Service Control Function/Service Data Function) 인터 페이스 요구 사항과 X.500 능력(Capabilities) 간에는 많은 유사성이 존재한다. 또한 X.500의 DUA(Directory User Agent)는 SCF,DSA(Directory System Agent)는 SDF로 매핑 관계가 성립된다. 이러한 유사성과 매핑 관계를 기반으로 AIN에 X.500 디렉토리 시스 템을 SCF/SDF 관계에 DAP(Directiory Access Protocol), SDF-SDF 관계에 DSP(Directory System Protocol)을 적용할 수 있다. 본 논문에서는 CS(Capability Set)-1, CS-3 범위 에서 X.500 DAP/DSP 적용이 가능한 관계를 보이고, AIN의 분산 처리를 위한 AIN SDF Server를 설계했으며, UPT(Universal Personal Telecommunication) 서비스를 AIN SDF Server에 적용할 수 있도록 X.500 스키마를 제안하였다.

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반응성 RF 마그네트론 스퍼터로 증착한 AIN 박막의 물성 및 SAW소자 특성에 관한 연구 (A Study on the SAW Characteristics of the AIN Thin Film Prepared by Reactive RF Magnetron Sputtering System)

  • 고봉철;전순배;황영한;김재욱;남창우;이규철
    • 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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    • v.53 no.2
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    • pp.73-78
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    • 2004
  • AIN thin film has been deposited on the $AI_2$$O_3$substrate with reactive radio frequency( RF) magnetron sputtering method. In this work, elelctromechanical coupling coefficient of AIN thin film was increased with an increase of AIN thin film thickness, and the maximum value was 0.11%. Insertion loss of SAW device was decreased with an increase of AIN thin film thickness and the minimum value was 33[㏈]. SAW velocity of IDTs/AIN/$AI_2$$O_3$structure and IDTs/AIN/$AI_2$$O_3$/Si structure were about 5480[㎧]and 5040[㎧]respectively.

Si와 GaAs기판 위에 AIN 박막의 전기적 특성 (Properties Electric of AIN Thin Film on the Si and GaAs Substrate)

  • 박정철;추순남;권정렬;이헌용
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • v.21 no.1
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    • pp.5-11
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    • 2008
  • To study the effects of $H_2$ gas on AIN insulation thin film, we prepared AIN thin film on Si and GaAs substrate by means of reactive sputtering method using $H_2$ gas as an additives, With treatment conditions of $H_2$ gas AIN thin film shows variable electrical properties such as its crystallization and hysterisis affected to electrical property, As a results, AIN thin film fabricated on Si substrate post-treated with $H_2$ gas for 20 minutes shows much better an insulation property than that of pre-treated, And AIN film treated with $H_2$ gas comparing to non-treated AIN film shows a flat band voltage decreasment. But In GaAs substrate $H_2$ gas does not effect on the flat band voltage.

단일 이온빔 스퍼터링법을 이용한 AIN 박막의 증착 (Deposition of AIN Thin Films by Single Ion Beam Sputtering)

  • 이재빈;주한용;이용의;김형준
    • 한국세라믹학회지
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    • v.34 no.2
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    • pp.209-215
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    • 1997
  • Reactive Single Ion Beam Sputtering 방법을 이용하여 AIN박막을 증착하고 물성을 분석하였다. 반응성 가스로 질소 가스 또는 암모니아 가스를 이용하였다. 증착된 AIN박막의 구조적, 화학적, 광학적 물성을 분석하기 위해 XRD, GAXRD, TEM, SEM, XPS, UV/VIS spectrophotometer, FT-IR등을 이용하였다. XRD, GAXRD분석결과에 의하면 증착된 모든 AIN박막은 비정질이었으나 TEM분석결과에서는 비정질 속에 육방정의 AIN미세결정들이 분포해 있었다. 그리고 FT-IR과 XPS분석을 통하여 Al-N결합을 확인하였으며, 화학양론적인 조성이 됨에 따라 UV-VIS spectrophotometery 분석에서 투광성이 증가하며 광학적 밴드갭은 6.2eV까지 증가함을 확인하였다. 또한 단면과 표면 형상관찰에서는, 반응성 가스로 질소 가스나 암모니아 가스에 관계없이, 결정입계가 전혀 관찰되지 않는 아주 평활한 현상이었으며 굴절율은 1.6~1.7의 값을 갖는다.

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AIN 기판의 수동 소자 특성 (The Characteristic of Passive Elements on Aluminum Nitride Substrate)

  • 김승용;육종민;남충모
    • 한국전자파학회논문지
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    • v.19 no.2
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    • pp.257-262
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    • 2008
  • 본 논문에서는 열전도도가 우수한 AIN 기판에 $CO_2$ Laser 장비 를 이용하여 Thru-hole과 scribing line을 형성하기 위해 $CO_2$ laser의 파라미터(촛점 거리, 공기량, 레이저 빔 시간, 펄스 개수)를 실험하고, 자체 정렬 마스킹 기법을 이용한 5 um 두께의 Cu 도금으로 AIN 기판에 전송 선로와 나선형 평면 인덕터를 제작하였다. AIN 기판에서의 마이크로스트립 라인의 전송 손실은 10 GHz에서 0.1 dB/mm, 6 nH 나선형 평면 인덕터는 1 GHz에서 56의 품질 계수를 얻었고, 이를 통해 열전도도가 우수한 AIN 기판의 고전력 RF 응용이 가능할 것으로 기대한다.

반응성 스퍼터링 방법에 의한 AIN 박막의 제작과 특성 (The preparation and characteristics of the AIN thin film by the rative sputtering method)

  • 정성훈;송복식;홍필영;문동찬;김선태
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • pp.23-26
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    • 1996
  • 고주파 스퍼터링 방법에 의하여 상온에서 Si(100)기판 위에 AIN막을 형성하였다. 기판의 온도, 고주파 출력, 스퍼터링 시간, 질소의 비율을 변화인자로 해서 각 조건하에서 제작된 AIN의 결정질을 X선 회절법, 적외선 분광법, 전자현미경으로 상호비교 하였다. 자외선 투과법에 의해, 제작된 AIN 막의 금지대 폭은 4.27eV 이었다. 질소 비율에 따른 AIN 막두께의 변화는 질소비율 40∼60%에서 급격하게 일어났다.

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비대칭 스퍼터링에 의한 TiAIN/CrN 나노 다층 박막의 합성 및 특성 분석에 관한 연구 (Studies on the Development of TiAIN/CrN Multi-layered Thin Films by Unbalanced Magnetron Sputtering Process)

  • 김광석;김범석;이상율
    • 한국표면공학회지
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    • v.38 no.6
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    • pp.207-211
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    • 2005
  • In this work a multi-layered nanostructured TiAIN/CrN superlattice coatings was synthesized using closed-field unbalanced magnetron sputtering method and the relationships between their superlattice period (1), micro-structure, hardness and elastic modulus were investigated. In addition, wear test at $500^{\circ}C$ and oxidation resistance test at $900^{\circ}C$ were performed to investigate high temperature properties of these thin films. The coatings were characterized in terms of microstructure and mechanical properties by transmission electron microscopy (TEM) and nano-indentation test. Results from TEM analysis showed that superlattice periods was inversely proportional to the jig rotation speed. The maximum hardness and elastic modulus of 37 GPa and 375 GPa were observed at superalttice period of 6.1 nm and 4.4 nm, respectively. An higher value of microhardness from TiAIN/CrN thin films than either TiAIN (30 GPa) or CrN (26 GPa) was noted while the elastic modulus was approximately an average of TiAIN and CrN films. These enhancement effects in superlattice films could be attributed to the resistance to dislocation glide across interface between the CrN and TiAIN layers. Much improved plastic deformation resistance ($H^3/E^2$) of 0.36 from TiAIN/CrN coatings was observed, compared with 0.15 and 0.16 from TiAIN and CrN, respectively. Also the wear resistance at $500^{\circ}C$ was largely increased than those of single TiAIN and CrN coatings and TiAIN/CrN coatings showed much reduced weight gain after exposure at $900^{\circ}C$ for 20 hours.

반도체 봉지용 고충진 AIN/Epoxy 복합재료 (Highly filled AIN/epoxy composites for microelectronic encapsulation)

  • 배종우;김원호;황영훈
    • 한국복합재료학회:학술대회논문집
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    • pp.131-134
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    • 2000
  • Increased temperature adversely affects the reliability of a device. So, package material should have high thermal diffusion, i.e., high thermal conductivity. And, there are several other physical properties of polymeric materials that are important to microelectronics packaging, some of which are a low dielectric constant, a low coefficient of thermal expansion (CTE), and a high flexural strength. In this study, to get practical maximum packing fraction of AIN (granular type) filled EMC, the properties such as the spiral flow, thermal conductivity, CTE, and water resistance of AIN-filled EMC (65-vol%) were evaluated according to the size of AIN and the filler-size distribution. Also, physical properties of AIN filled EMC above 65-vol% were evaluated according to increasing AIN content at the point of maximum packing fraction (highly loading condition). The high loading conditions of EMC were set $D_L/D_S$=12 and $X_S$=0.25 like as filler of sphere shape and the AIN filled EMC in this conditions can be obtained satisfactory fluidity up to 70-vol%. As a result, the AIN filled EMC (70-vol%) at high loading condition showed improved thermal conductivity (about 6 W/m-K), dielectric constant (2.0~3.0), CTE(less than 14 ppm/$^{\circ}C$) and water resistance. So, the AIN filled EMC (70-vol%) at high loading condition meets the requirement fur advanced microelectronic packaging materials.

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상압 소결법으로 제조된 이트리아 첨가 질화 알루미늄 세라믹스의 미세 구조 및 열전도도 (Microstructure and thermal conductivity of AIN ceramics with ${Y_2}{O_3}$ fabricated by pressureless sintering)

  • 채재홍;박주석;안종필;김경훈
    • 한국결정성장학회지
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    • v.19 no.1
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    • pp.33-38
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    • 2009
  • AIN 소결에 있어서 ${Y_2}{O_3}$를 소결 조제로하여 $1,700{\sim}1,900^{\circ}C$의 온도에서 상압소결하엿을 때 ${Y_2}{O_3}$ 첨가와 소결 유지 시간이 소결 특성, 미세 구조 및 열전도도에 미치는 영향에 관하여 평가하였다. ${Y_2}{O_3}$의 첨가에 따라 AIN 시편은 치밀화가 증진되고 열전도도가 증가됨을 확인할 수 있었다. 이러한 결과는 AIN 분말 표면의 ${Al_2}{O_3}$${Y_2}{O_3}$의 반응으로 형성된 이차상에 기인한 것으로, 첨가된 ${Y_2}{O_3}$${Al_2}{O_3}$와의 반응으로 치밀화에 기여를 하여 고온에서 액상의 형성으로 급속히 치밀화를 증진시키며, AIN 결정격자 내부로 유입될 수 있는 산소의 양을 감소시킴으로써 AIN 시편의 열전도도를 증가시키는 것을 알 수 있었다. 또한 소결시간의 증가에 따라 열전도도는 급격히 증가하였는데 이는 결정립계의 이차상이 고온에서 휘발되어 그 양이 감소함에 기인하는 것으로 파악되었다. $1,900^{\circ}C$ 5시간 소결한 시편의 열전도도는 약 $141\;Wm^{-1}K^{-1}$ 값을 나타내었고 이는 1시간 소결한 시편과 비교하여 20% 이상 증가된 값이었다.