Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 1998.02a
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- Pages.93-93
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- 1998
III-V족 질화물 반도체 성장과 청색 LED 제작 특성
Abstract
III-V족 질화물반도체를 이용한 광 및 전자소자 용용에 있어서 가장 중요한 고홈위 u undoped GaN 에피충 성장과 GaN 에피충의 doping 특허 p-type doping의 복성융 고찰한다. 그리고 III-V nitride 이용한 band gap en명neertng에 있어서 가장 중요한 InGaN 생장파 81 및 :at codoplng 륙성융 평가 분석 한다. 위의 기반기술융 기본으로 하여 InGaN/AlG때 DH s
Keywords