$GaCl_3$를 사용한 연속 증착 HVPE법에 의한 GaN 후막 성장

  • 이수민 (서울대학교 재료공학부) ;
  • 김영훈 (서울대학교 재료공학부) ;
  • 정수진 (서울대학교 재료공학부)
  • Published : 2000.11.01