MBE에 의한 다양자 우물제작 및 특성연구(공명투과 다이오드의 제작과 전기적 특 성)

Growth and Characterization of the Multi Quantum Wells by MBE(The Growth and Electrical Properties of Resonant Tunneling Structures)

GaAs/AlAs 이중장벽 구조를 MBE(Molecular Beam Epitaxy)법으로 성장하여, mesa diode를 제작하고 전류전압 특성을 측정하였다. 계면은 평탄한 이중장벽 구조로 성장 되었음이 확인되었으며, 실온에서 장벽의 두께가 변화함에 따라 PVCR(Peak to Valley Current Ratio)의 값은 크게 변하지 않았다. 이는 장벽의 두께가 증가함에 따라 nonresonant tunneling에 의한 valley current가 크게 증가함에 기인한다.

The GaAs/AlAs double barrier structures was grown by MBE(Mo1ecular Beam Epitaxy). Mesa diode was fabricated and I-V characteristics of the diode were measured by semiconductor parameter analyser at room temperature. TEM pictures show the double barrier structure with abrupt interface. PVCR(Peak to Valley Current Ratio) proves to be independent of barrier thickness. These results show that increase in barrier thickness leads to larger valley current by non-resonant tunneling.