Crystal Growth and Structural Properties of$Mn_xCd{1-x}Ga_2Se_4(0 {\leq}X {\leq}1)$ Semimagnetic Semiconductors

$Mn_xCd{1-x}Ga_2Se_4(0 {\leq}X {\leq}1)$ 반자성 반도체의 결정성장과 구조특성 연구

  • 신동호 (목포대학교 자연과학대학 물리학과) ;
  • 정해문 (목포대학교 자연과학대학 물리학과) ;
  • 김창대 (목포대학교 자연과 학대학 물리학과) ;
  • 김화택 (전남대학교 자연과학대학 물리학과)
  • Published : 1992.10.01

Abstract

반자성 반도체인 MnxCd1-xGa2Se4의 단결정을 조성비 ( $0leq$ $X \leq$ 1) 영역에서 TVTP(time-varying temperature profile)에 의한 화학수송법으로 성장하였다. 성장된 단결정 은 자연면을 갖은 경면으로 성장되었으며, X = 1.0 경우인 단결정의 크기는 12 $\times$ 6 $\times$ 1.5mm3이었다. MnxCd1-xGa2Se4의 결정구조는 defect chalcopyrite 구조이었으며, 조성비 X 가 증가함에 따라 격자상수 a는 선형적으로 감소하고, 격자상수 c는 증가하였다. 또한 distortion factor 2-(c/a)는 감소하였다.

Keywords