Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)

The Korean Vacuum Society (한국진공학회)
권호 표지

Electrical Properties of MOS Capacitors Irradiated with $CO^{60}-\gamma$ Ray

$CO^{60}-\gamma$선이 조사된 MOS Capacitors에서의 전기적 특성

  • 권순석 (충북대학교 전기공학과) ;
  • 박흥우 (충북대학교 전기공학과) ;
  • 임기조 (충북대학교 전기공학과) ;
  • 류부형 (동국대학교 산업안전공학과) ;
  • 강성화 (충정전문대학 산업안전과)
  • Published : 1995.12.01
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Abstract

MOS(금속 산화막 반도체 접합) 소자가 방사선에 노출되면, 산화막재에 양의 공간전하가 생성되고 Si-SiO2 계면에 계면준위가 생성된다. MOS 커패시터의 방사선 조사효과를 방사선 피폭량과 산화막의 두께를 달리하는 시편에서 정전용량과 전류변화를 측정하여 고찰하였다. 정전용량-바이어스 전압 특성 실험결과로부터 플렛밴드 전압 및 계면상태밀도를 계산하였다. 또한 전압-전류 특성은 방사선 조사로 산화막내에 생성된 양의 공간전하와 Si-SiO2 계면에 포획된 전하에 의해서 설명이 가능하였다.

Keywords