Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)
- Volume 4 Issue S1
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- Pages.178-184
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- 1995
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- 1225-8822(pISSN)
$Si_2H_6$ 와 $GeH_4 $ 가스를 이용한 LPCVD $Si_{1-x}Ge_x$ 합금 박막의 제작
Abstract
SiO2 위에 as-dep. 비정질 Si1-xGex 합금박막을 증착하기 위하여 Si2H6 와 GeH4 가스를 사용한 저압 화학 기상증착(LPCVD)에 관하여 연구하였다. 증착온도는
Keywords