Abstract
If the thickness of Pd deposited is larger than 9$\AA$, its phase is $Pd_3Si$. This phase is followed by pure Pd phase with further deposition of Pd. Also, when the thickness of Pd deposited on top of Si(111) is larger than 1$\AA$, the phase of Pd-silicide formed is found to be Pd2Si. The full width at half maximum of Pd 3d core-levels increases with decreasing of Pd film thickness at low coverages ($\leq0.5\AA$). This is due to the formation of additional phase of Pd silicide, i.e. PdSi, in addition to $Pd_2Si$.
Pd금속을 9$\AA$보다 많은 양을 Si표면에 증착한 경우에 형성되는 Pd-실리사이드는 순 수한 Pd금속이 쌓이기 전단계인 Pd양이 많은 $Pd_3Si$상이다. 또한, Si표면에 Pd금속을 1$\AA$이 상을 증착 하였을 때 형성되는 Pd-실리사이드는 $Pd_2Si$상이다. 그리고, Si표면에 Pd금속을 1 $\AA$보다 작은 양을 증착한 Pd 3d 내각준위의 분광을 보면, Pd의 증착 두께가 얇아질수록 Pd 3d 내각준위의 반높이에서 반너비(half width at half maximum:HWHM)의 크기가 넓어진 다. 매우 작은 양의 Pd금속을 Si표면에 증착한 경우에 반너비가 넓어진 이유는 많은 연구자 들이 찾아낸 Pd-실리사이드인 $Pd_2Si$상외에 Si양이 많은 새로운 Pd-실리사이드인 PdSi상이 존재하는 것 때문이다.
