Abstract
We have investigated the surface characteristics of n-GaAs (100) treated with Ar plasma (40 W, 5~120 sec) by photoreflectance (PR) measurement. With increasing Ar plasma treatment time, the intensity of $E_0$ peak observed to the minimum at 5 sec. The surface electric field ($E_0$), net carrier concentration ($N_P-N_A$), and surface state density ($Q_{SS}$ are $1.05{\times}10^5V/cm$ and $1.31{\tiems}10^{17}cm^{-3}$ and $1.64{\times}10^{-7}C/m^2$, respectively. These values were about 57.1, 81.4 and 56.9% smaller than those of bulk n-GaAs. On the other hand, the concentration of compensation centers ($N_A$) was maximum with value of $5.75{\times}10^{17}cm^{-3}$ at 5 sec. And penetration depth of defects generated after treated with Ar plasma was about 450 $\AA$ from surface.
Power를 40W로 고정하고 시간을 5~120초간 변화시켜 아르곤 플라즈마로 처리시킨 n-GaAs(100)의 특성을 photoreflectance(PR) 측정으로 조사하였다. 아르곤 플라즈마 처리시 간을 증가시킴에 따라 Eo피크의 세기는 처리시간이 5초일 때 최소로 관측되었으며, 이때 표 면전기장 ($E_0$), 순수 캐리어농도(ND-NA) 및 표면상태밀도($Q_ss$)는 각각 $1.05\times10^5\textrm{V/cm},1.31\times10^{17}\textrm{cm}^{-3}$및 $1.64\times10^{-7}\textrm{C/cm}^2$로 이 값들은 bulk 시료에 비해 약 57.1, 81.4 및 56.9% 감소하였다. 반면에 5초일 때 compensation center 농도 ($N_A$)는 $5.75\times10{17}\textrm{cm}^{-3}$로 최대였다. 그리고 아르곤 플라즈마 처리시 유발된 결함들의 침투깊이는 표면에서 약450$\AA$정도였다.
