Abstract
The W thin films were deposited on Si3N4 by a PECVD technique. The effects of substrate temperature and gas flow ratio on the properties of the W films were investigated. The deposition of W films were limited by surface reaction at the temperature range of 150>~$250^{\circ}C$, W films had the deposition rate of 150~530 $\AA$/min and stress of 0.85~$14.35\times10 ^9 \textrm {dynes/cm}^2}$ at various substrate temperatures and $SiH_4/WF_6$ flow ratios. $SiH_4/WF_6$ flow ratio affected the deposition rate and stress of the W films, expecially, excessive flow of SiH4 abruptly changed the structure, chemical bonding, and stress of the W films. Among the deposited W films on TiN, Ti, Mo, NiCr and Al adhesion layer, the one on the Al had the best adhesion property.
$Si_3N_4$상에 PECVD법으로 W박막을 증착하였다. 기판온도와 소스가스의 유량비가 텅 스텐 박막에 미치는 영향을 조사하였다. $150^{\circ}C$~$250^{\circ}C$의 온도 범위 내에서 텅스텐 박막의 증착은 표면반응에 의하여 제한 되었으며, 기판온도와 $SiH_4/WF_6$ 유량비 변화에 따라 150~ 530$\AA$/min의 증착률과 스트레스에 영향을 주었고, 특히 과도한 Si3N4가스는 W박막의 구조, 화학적 결합, 스트레스등을 급격히 변화시켰다. TiN, Ti, Mo, NiCr, Al 등 여러 가지 부착층 상의 텅스텐 박막을 증착시킨 결과, Al이 가장 좋은 부착특성을 보였다.
