A Design of BICS Circuit for IDDQ Testing of Memories

메모리의 IDDQ 테스트를 위한 내장전류감지 회로의 설계

  • 문홍진 (전주대학교 컴퓨터공학과) ;
  • 배성환 (한려대학교 정보통신학과)
  • Published : 1999.04.01

Abstract

IDDQ testing is one of current testing methodologies which increases circuit's reliability by means of finding defects which can't be detected by functional testing in CMOS circuits. In this paper, we design a Built-In Current Sensor(BICS) circuit, which can be embedded in chip under test, that performs IDDQ testing. Furthermore, it is designed for IDDQ testing of memories and implemented to carry out testing at high-speed by using small number of transistors.

IDDQ 테스트는 CMOS 소자로 구성된 회로에서 기능 테스트로는 검출할 수 없는 결함을 찾아내어 회로의 신뢰성을 높여주는 전류테스트 방식이다. 본 논문에서는 IDDQ 테스트를 테스트 대상 칩 내에서 수행할 수 있는 내장전류감지(Built-In Current Sensor : BICS)회로를 설계하였다. 이 회로는 메모리의 IDDQ 테스트를 수행할 수 있도록 설계되었으며, 적은 트랜지스터를 사용하여 빠른 시간 내에 테스트를 수행할 수 있도록 구현하였다.

Keywords

References

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