Effect of Surface Treatment of Ti on Oxidative Thin Film of Electronic Materials

전자재료 산화박막에 대한 Ti표면처리 효과

The behavior of surface oxidation on cobalt silicide layer was investigated under rapid thermal oxidation (RTO) conditions. The cobalt silicide layer was prepared on p-type silicon substrates. We used Ti thin film as a capping layer in order to measure the degree of oxidation of the layer. Oxide grew faster on the cobalt silicide prepared with the Ti capping layer to reach ca $500{\AA}$ at $700^{\circ}C$ in thickness. The oxide film kept growing under $550^{\circ}C\~700^{\circ}C$ of the RTO condition, resulting in a saturated state above $500{\AA}$.

코발트 실리사이드는 낮은 전기 저항성 때문에 고효율 소자를 제조하는데 적합한 물질이다. 이는 전자소재가 소형화되면서 접촉저항과 혼합을 줄이기 위해 더욱 필요하게 되었다. 본 연구에서는 티타늄의 표면산화에 미치는 영향과, RTO 조건에서 온도에 따른 코발트 실리사이드 박막의 산화정도를 측정했다. 기질로서 p-형 실리콘웨이퍼를 사용하였고, 고속 열 가공을 통하여 박막을 가공하였다. 티타늄 층을 입혔을 때 산화충의 두께는 $500{\AA}$정도 성장하였다. 고속 열산화의 온도변화에 따라 산화막은 $550^{\circ}C\~700^{\circ}C$까지는 성장을 보였으나 $700^{\circ}C$이상에는 산화막 성장이 포화상태를 보였다.