Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)

The Korean Vacuum Society (한국진공학회)
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Junction Temperature of Quantum Dot Laser Diodes Depending on the Mesa Depth

양자점 레이저 다이오드의 식각 깊이에 따른 접합온도 측정

  • Jeong, Jung-Hwa (Nano Device Research Center, Korea Institute of Science and Technology) ;
  • Han, Il-Ki (Nano Device Research Center, Korea Institute of Science and Technology) ;
  • Lee, Jung-Il (Nano Device Research Center, Korea Institute of Science and Technology)
  • 정정화 (한국과학기술연구원, 나노소자연구센터) ;
  • 한일기 (한국과학기술연구원, 나노소자연구센터) ;
  • 이정일 (한국과학기술연구원, 나노소자연구센터)
  • Published : 2008.11.30
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Abstract

Junction temperature of quantum dot laser diodes is investigated by utilizing forward voltage-temperature method. In the case of ridge type laser diodes with deep mesa the increasing rate of junction temperature to current is about 0.05 K/mA, while in the case of shallow mesa the increasing rate is about 0.07 K/mA. It is explained that the relatively low increasing rate in the deep mesa results from the heat expansion to the lateral direction of mesa.

순방향 전압-온도 (forward voltage-temperature)법을 이용하여 양자점 레이저 다이오드의 접합온도를 측정하였다. 식각 깊이가 깊은 mesa 구조의 경우 입력전류에 대한 접합온도의 증가율은 0.05 K/mA인 반면, 식각 깊이가 낮은 mesa 구조의 경우 0.07 K/mA로서 상대적으로 높게 측정되었다. 깊은 mesa 구조에서의 상대적으로 낮은 접합온도 증가율은 mesa 측면 방향으로의 열확산 효과 때문인 것으로 설명된다.

Keywords

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