Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society (한국산학기술학회논문지)

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Correlation between Chemical Shift and Optical Properties and of SiOC Films

탄소주입 실리콘 산화막 박막의 광학적 특성과 화학적 이동의 상관성

  • Oh, Teresa (Division of Semiconductor Design, Cheongju University)
  • Received : 2011.11.16
  • Accepted : 2012.03.08
  • Published : 2012.03.31
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Abstract

SiOC films made by the inductive coupled CVD with dimethyldimethoxysilane were analyzed to find out the correlation between the chemical and optical properties by using the Foruier transform infrared spectroscopy, spectrophotometer and ellipsometer. The bonding structure of SiOC film was formed during the depositeion and the adhesion was increased after annealing process. SiOC film decreased the polarization by the chemical reaction between alkyl group and hydroxyl group, and increased the degree of amorphism. For the range of 950 cm-1 in FTIR spectra, the spectra were divided into two types depending on polar sites. The refractive index of SiOC film with the lowest polarization increased and the thickness of that decreased.

탄소 주입 실리콘산화박막은 ICP-CVD에 의하여 dimethyldimethoxysilane를 이용하여 증착하였다. 화학적 변화와 광학적 변화에 대하여 관찰하기 위해서 FTIR, 스펙트라 포토미터 그리고 엘립소미터를 이용하였다. SiOC 박막의 결합구조는 증착과정에서 형성되고 열처리과정을 통하여 접착도가 증가된다. SiOC 박막은 알킬기와 수산기 사이의 화학적인 반응에 의해서 분극이 감소되고 비정질도는 증가된다. FTIR에서 950 cm-1 이하의 영역에서 알킬기와 수산기에 따른 분극의 특성에 따라서 FTIR 픽의 모양이 두가지로 다르게 나타났다. 분극이 가장 낮은 샘플에서 굴절률은 증가하였고 두께는 감소하는 특성을 관찰할 수 있었다.

Keywords

References

  1. T. Oh, and C. H. Kim : IEEE Trans. Plasma Science, 38, 1598-1602, 2010. https://doi.org/10.1109/TPS.2010.2049665
  2. Y. L. Cheng, Y. L. Wang, J. K. Lan, H. C. Chen, J. H. Lin, Y. L. Wu, P. T. Liu, Y. C. Wu and M. S. Feng : Thin Solid Films, 469-470, 1787-183, 2004.
  3. T. Oh : Jpn. J. Appl. Phys. 45, 7871-7875, 2006. https://doi.org/10.1143/JJAP.45.7871
  4. P. de Rouffignac, Z. Li, and R. G. Gordon : Electrochemical and Solid State Letters, 7, G360-G308, 2004.
  5. J. Widodo, W. Lu, S. G. Mhaisalkar, J. L. L. Sudijono, L. C. Hsia, L. Shen and K. Y. Zeng : Thin Solid Films, 472, 195-202, 2005. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.07.003
  6. J. Widodo, W. Lu, S. G. Mhaisalkar, L. C. Hsia, P. Y. Tan, L. Shen and K. Y. Zeng : Thin Solid Films, 475, 213-218, 2004.
  7. C. S. Yang, Y. H. Yu, H. J. lee, K. M. Lee and C. C. Choi : Thin Solid Films, 475, 150-154, 2005. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.07.019
  8. L. Plantier, Y. Le Friec, A. Humbert, G. Imbert, E. Sabouret, M. Sardo, V. Girault, D. Delille, S. Jullian, K. Junker : Microelectronic Engineering, 83, 2407-2411, 2006. https://doi.org/10.1016/j.mee.2006.10.046
  9. T. Oh : IEEE transactions on Nanotechnology, 5, 23-29, 2006. https://doi.org/10.1109/TNANO.2005.858591