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Design of Semiconductor-Operated Bidirectional Transformers Driven by Polarities of Alternating Voltage Sources

교류 전압원의 극성에 따라 구동하는 양방향 반도체 변압기의 설계

  • Received : 2014.10.14
  • Accepted : 2015.02.13
  • Published : 2015.02.28

Abstract

In this paper, we propose a transformer of alternating voltage source utilizing a semiconductor, operating in bidirectional fashion. Transformer is a device transferring energy by inductive coupling between its winding circuits. Conventional transformer is a device, composed of a primary coil and a secondary coil, transforming an alternating voltage. The system we propose is designed with a single circuit transforming the level of voltage signal in two ways; from the source to the load, and vice versa. For semiconductor switches, the NPN transistor is connected to the alternating voltage source terminal, and emitter terminal is connected to the inductor in the system as an energy storage element. The control signal is applied to the base terminal of the semiconductors. We have shown that the system we propose, by adopting only one circuit, drives an alternating voltage transformer that changes the amplitudes of voltage signal in reciprocal way.

우리는 이 논문에서 교류전압원의 극성에 따라서 쌍방향으로 동작하는 반도체 변압기설계를 제시한다. 변압기는 회로 사이의 유도성 결합에 의하여 에너지를 전달하는 장치이다. 대부분의 변압기는 교류 전압에 의하여 1차 및 2차 코일로 구성된 장치이다. 우리가 제시하는 시스템은 전압신호 레벨을 두 방향으로 즉, 전원에서 부하까지 전압신호가 전달되기도 하고, 부하에서 전압원까지 전달되기도 한다. 전환하는 하나의 회로로 설계되어있다. 구성한 반도체 스위치는 NPN 트랜지스터가 교류 전압원 단자에 연결되어 있고, 에너지 저장 요소로서는 이미터 단자에 연결되어 있는 인덕터를 채택하였다. 제어 신호는 반도체의 베이스 단자에 인가된다. 제시하는 시스템은 전압신호의 진폭을 가역 방향으로 변화시킬 수 있다.

Keywords

References

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