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Die Shift Measurement of 300mm Large Diameter Wafer

300mm 대구경 웨이퍼의 다이 시프트 측정

  • Lee, Jae-Hyang (Department of Mechanical Engineering, Korea National University of Transportation) ;
  • Lee, Hye-Jin (Korea Institute of Industrial Technology) ;
  • Park, Sung-Jun (Department of Mechanical Engineering, Korea National University of Transportation)
  • 이재향 (한국교통대학교 기계공학과) ;
  • 이혜진 (한국생산기술연구원) ;
  • 박성준 (한국교통대학교 기계공학과)
  • Received : 2016.03.31
  • Accepted : 2016.06.02
  • Published : 2016.06.30

Abstract

In today's semiconductor industry, manufacturing technology is being developed for the purpose of processing large amounts of data and improving the speed of data processing. The packaging process in semiconductor manufacturing is utilized for the purpose of protecting the chips from the external environment and supplying electric power between the terminals. Nowadays, the WLP (Wafer-Level Packaging) process is mainly used in semiconductor manufacturing because of its high productivity. All of the silicon dies on the wafer are subjected to a high pressure and temperature during the molding process, so that die shift and warpage inevitably occur. This phenomenon deteriorates the positioning accuracy in the subsequent re-distribution layer (RDL) process. In this study, in order to minimize the die shift, a vision inspection system is developed to collect the die shift measurement data.

오늘날 반도체 분야의 산업에서는 데이터 처리 속도가 빠르고 대용량 데이터 처리 수행 능력을 갖는 반도체 기술 개발이 활발히 진행 되고 있다. 반도체 제작에서 패키징 공정은 칩을 외부 환경으로부터 보호 하고 접속 단자 간 전력을 공급하기 위해 진행하는 공정이다. 근래에는 생산성이 높은 웨이퍼 레벨 패키지 공정이 주로 사용되고 있다. 웨이퍼 레벨 패키지 공정에서 웨이퍼 상의 모든 실리콘 다이는 몰딩 공정 중에 높은 몰딩 압력과 고온의 열 영향을 받는다. 실리콘 다이에 작용하는 몰딩 압력 및 열 영향은 다이 시프트 및 웨이퍼 휨 현상을 초래하며, 이러한 다이 시프트 및 웨이퍼 휨 현상은 후속 공정으로 칩 하부에 구리 배선 제작을 하는데 있어 배선 위치 정밀도의 문제를 발생시킨다. 따라서 본 연구에서는 다이 시프트 최소화를 위한 공정 개발을 목적 으로 다이 시프트 측정 데이터를 수집하기 위해 다이 시프트 비전 검사 장비를 구축하였다.

Keywords

References

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