Recrystallization of Al Thin Film and Formation of AlN by Nitrogen Ion Implantation

질소이온 주입에 의한 Al의 재결정화 및 AlN의 형성에 관한 연구

진공증착된 Al 다결정 박막에 질소이온을 25keV-50keV, 1 $\times$ 1014-2 $\times$ 1017ions/cm2로 주입하여 박막의 결정구조와 nitride의 형성을 TEM으로 측정하였다. N+2이 온을 에너지 25keV, dose 1 $\times$ 1014ions/cm2로 주입하면 fcc 구조의 Al 결정이 관찰되며, 40keV 이상의 에너지로 2 $\times$ 1017ions/cm2이상 주입하면 AlN이 형성됨을 확인하였다.