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Low resistance ohmic contacts to the Si-doped InGaN(~$\times$10$^{19}$ ㎤) were obtained using the W metallization schemes. Specific contact resistance decreased with increasing annealing temperature. The lowest resistance is obtained after a nitrogen ambient annealing at 95$0^{\circ}C$ for 90s, which results in a specific contact resistance of 2.75$\times$10$^{-8}$ Ω$\textrm{cm}^2$. Interfacial reactions and surface are analyzed using x-ray diffraction, transmission electron microscopy (TEM) and scanning electron microscopy (SEM). The X-ray diffraction results show that the reactions between the W film and the InGaN produce a $\beta$-W$_2$N phase at the interface. TEM results also show that the $\beta$-W$_2$N has a rough interface, which increase contact area. It shows that the morphology of the contacts is stable up to a temperature as high as 95$0^{\circ}C$. Possible mechanisms are proposed to describe the annealing temperature dependence of the specific contact resistance.

Slurry sol(30at% anatase TiO$_2$)을 이용하여 스핀코팅으로 유리기판에 TiO$_2$박막을 제조하였다. 박막의 두께는 코팅주기의 횟수로 조절하였다. 한 코팅주기는 스핀코팅, 건조, 열처리를 포함한다. 박막의 반응성은 막 위에서의 자외선강도가 0.4mW/$\textrm{cm}^2$인 조건에서 벤젠기체의 광분해 속도를 통해 조사하였다. 박막의 두께가 증가할수록 표면적인 증가로 인해 반응성은 증가하였으며, 4$\mu\textrm{m}$정도이상의 두께에서 반응성은 더 이상 증가되지 않았다. porous한 TiO$_2$박막은 비교적 넓은 유효 표면적을 가지고 있으며, 그것은 두께증가에 따라 반응속도를 결정하는 결과를 낳았다.

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